Характеристики
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER TRANSISTOR
Поставки электронных компонентов в Краснодар
18.000,00 руб.
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №1 | 10-12 дней | 18.000,00руб. | 16.740,00руб. | 15.840,00руб. | 15.300,00руб. | 14.760,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №2 | 10-12 дней | 21.960,00руб. | 19.080,00руб. | 17.820,00руб. | 17.100,00руб. | 15.120,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №3 | 7 дней | 23.760,00руб. | 22.500,00руб. | 21.420,00руб. | 20.160,00руб. | 17.820,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №4 | 10 дней | 21.420,00руб. | 20.340,00руб. | 19.260,00руб. | 18.180,00руб. | 16.020,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №5 | 10-12 дней | 19.980,00руб. | 18.900,00руб. | 17.820,00руб. | 16.920,00руб. | 14.940,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №6 | 6 дней | 24.840,00руб. | 23.580,00руб. | 22.320,00руб. | 21.060,00руб. | 18.720,00руб. |
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER TRANSISTOR
Корпус | to92 |
---|---|
Структура | pnp |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.8 |