Транзистор MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET)

Поставка электронных компонентов в Краснодар

39,00 руб.

Артикул: 1135843 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Краснодар уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	39,00руб.	36,27руб.	35,10руб.	34,32руб.	31,98руб.	31,20руб.	30,42руб.	28,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	70,59руб.	64,74руб.	63,57руб.	62,01руб.	57,72руб.	56,55руб.	54,99руб.	49,53руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	91,26руб.	84,24руб.	82,29руб.	80,34руб.	74,88руб.	72,93руб.	71,37руб.	63,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	46,80руб.	42,90руб.	42,12руб.	40,95руб.	38,22руб.	37,44руб.	36,27руб.	32,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	90,09руб.	83,07руб.	81,12руб.	79,17руб.	76,83руб.	74,10руб.	70,20руб.	63,18руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET) The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.

• -25V Drain-gate voltage
• 25V Gate-source voltage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыПолевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3 Вывода
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23