Характеристики
SI2312BDS-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 20 В The SI2312BDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
• 100% Rg tested
• -55 to 150 C Operating temperature range
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы