SI2318CDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 40 В

33,00 руб.

Сроки поставки выбранного компонента в Краснодар уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	33,00руб.	30,69руб.	29,70руб.	29,04руб.	27,06руб.	26,40руб.	25,74руб.	23,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	59,73руб.	54,78руб.	53,79руб.	52,47руб.	48,84руб.	47,85руб.	46,53руб.	41,91руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	77,22руб.	71,28руб.	69,63руб.	67,98руб.	63,36руб.	61,71руб.	60,39руб.	54,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	39,60руб.	36,30руб.	35,64руб.	34,65руб.	32,34руб.	31,68руб.	30,69руб.	27,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	76,23руб.	70,29руб.	68,64руб.	66,99руб.	65,01руб.	62,70руб.	59,40руб.	53,46руб.

Характеристики

SI2318CDS-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 40 В The SI2318DS-T1-E3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 750mW.

• ±20V Gate-source voltage
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-236
Рассеиваемая Мощность	750мВт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	3.9А